Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN.

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii Ga N-on-Ga N. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: - tranzystory (40 sztuk):

• typu Trench MOSFET

• rozmiar 3 mm x 3 mm

• w technologii Ga N-on-Ga N, czyli na podłożu z azotku galu (Ga N)

• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)

• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A

• zapakowane - tranzystory (80 sztuk):

• typu Trench MOSFET

• rozmiar 3 mm x 3 mm

• w technologii Ga N-on-Ga N, czyli na podłożu z azotku galu (Ga N)

• otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE)

• zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A

• zapakowane