Dostawa zestawu dwóch orientometrów rentgenowskich zaprojektowanych specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) i podobnych.

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION

Przedmiotem zamówienia jest:

Dostawa zestawu dwóch identycznych orientometrów rentgenowskich zaprojektowanych specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (Ga N), węglik krzemu (Si C) i podobnych.

Orientometr rentgenowski – Dwa identyczne urządzenia.

Wymagania dotyczące orientometru rentgenowskiego:

• Orientometr rentgenowski zaprojektowany specjalnie do pomiarów podłoży lub kryształów objętościowych, takich jak azotek galu (Ga N), węglik krzemu (Si C) i podobnych.

• Dedykowany termiczny agregat chłodzący do orientometru rentgenowskiego

• Pojedynczy pomiar do przetwarzania podłoży lub kryształów objętościowych.

• Możliwość pomiaru podłoży lub kryształów objętościowych do 110 mm i maksymalnej wadze 25 kg.

• Możliwość pomiaru płaskiego położenia w 4 kierunkach (góra, dół, lewo, prawo).

• Możliwość pomiaru różnych orientacji podłoży i kryształów.

• Pomiar ręczny.

• Pozycja wiązki promieniowania rentgenowskiego w odległości 70 mm od płyty nośnej.

• Dokładność: ±0,02°

• Powtarzalność: < 0,02°

• Wysokość wiązki od podstawy (70 mm)

Powierzchnia pomiarowa :

- Wymiary mniej niż: 1,8 m (szer.) x 1,2 m (gł.) x 1,2 m (wys.)

- Waga: mniej niż 500 kg

Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ

ENGLISH VERSION

The subject of the order is:

Delivery of a set of two X-ray orientometers specifically designed for measuring substrates or bulk crystals such as gallium nitride (Ga N), silicon carbide (Si C) and the like.

X-ray orientometer – two identical devices.

Requirements for X-ray orientometer:

• X-ray orientometer designed especially for wafer or ingot measurements such as gallium nitride (Ga N), silicon carbide (Si C) and similar.

• Dedicated thermal cooling unit for X-ray orientometer.

• Single measurement to process wafers or ingots one at time.

• Capable to measure wafer or ingot up to 110mm and maximum weight 25k G.

• Capable to measure flat position in 4 directions (up, down, left, right).

• Capable to measure different wafer and ingot orientation.

• Manual system measurement.

• X-ray beam position at 70mm of the carrier plate.

• Accuracy : ±0,02°

• Repeatability : < 0,02°

• Beam height from base (70 mm)

Footprint :

• Footprint less than : 1,8m (W) x 1,2m (D) x 1,2m (H)

• Weight : less than 500 Kg

A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the TOR