Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION

Przedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (Ga N) i węglik krzemu (Si C).”

Zakup dwóch identycznych szlifierek:

Wymagania dotyczące specyfikacji szlifierek

• Szlifierka zaprojektowana specjalnie do szlifowania wafli półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (Ga N) i węglik krzemu (Si C).

• Szlifierka jednowrzecionowa do obróbki wafli pojedynczo

• Możliwość obróbki wafli o średnicy od 25 mm do 150 mm

• Możliwość użycia tarcz szlifierskich od dowolnego dostawcy

WYMIARY SZLIFIERKI:

• Powierzchnia podstawy: mniej niż: 1,5 m (szer.) x 2,2 m (gł.) x 2,5 m (wys.)

• Waga: mniej niż: 5 ton

PLATFORMA SZLIFUJĄCA:

• Sztywność wrzeciona: co najmniej 1 µm/500 N

• Moment znamionowy: >22 Nm

• Regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej w osi Z z 3-punktowym podparciem

• Prędkość posuwu : 5 mm/s

• Cięcie: 0,01–(10,0) μm/s

• Rozdzielczość dla osi Z: 0,01 μm

POMIAR GRUBOŚCI WAFERA:

• Funkcja pomiaru grubości elementu obrabianego w czasie rzeczywistym

STÓŁ ROBOCZY:

• Prędkość obrotowa: minimum 300 obr./min

• Obsługiwane rozmiary elementów obrabianych, dostępne stoły robocze:

Ø 25,4 mm

Ø 49 mm

Ø 50,8 mm

Ø 101,6 mm

• Materiał porowaty: ceramika

TARCZA SZLIFIERSKA:

• Średnica tarczy szlifierskiej: od 200 mm do 300 mm

• Prędkość obrotowa tarczy: minimum 2500 obr./min

• Wymagana regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej: Jednostka osi Z (kolumna) z 3-punktowym podparciem

• System umożliwiający regulację położenia tarczy szlifierskiej względem stołu próżniowego w celu zapewnienia równoległości

• Powtarzalność: 0,5 µm

Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ

ENGLISH VERSION

The subject of the order is the " Delivery of two identical advanced surface grinding systems designed specifically for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (Ga N) and silicon carbide (Si C).”

Purchase of two identical grinders:

Requirements for grinder specifications

• Grinder designed specifically for grinding of compound semiconductor wafers such as gallium nitride (Ga N) and silicon carbide (Si C)

• Single spindle grinder to process wafers one at a time

• Capable to process wafer diameters from 25mm up to 150mm

• Capable to use grind wheel from any major supplier

FOOTPRINT:

• Footprint Less than 1,5m (W) x 2,2m (D) x 2.5m (H)

• Weight: Less than 5 tons

GRIND PLATFORM:

• Spindle rigidity at least 1µm/500 N

• Rated torque: >22 Nm

• Grind wheel tilt adjustable in z-axis w/ 3-point support

• Speed Movement：5mm/sec

• Cutting：0.01–(10.0)μm/sec

• Resolution capability for the Z axis 0.01μm

WAFER THICKNESS MEASUREMENT:

• real time workpiece thickness measurement function

WORK-TABLE:

• Table rotation Speed: min. 300 rpm.

• Compatible Workpiece size, with work-tables available:

- Ø 25,4 mm

- Ø 49 mm

- Ø 50,8 mm

- Ø 101,6 mm

• Porous Material: Ceramic

GRIND WHEEL:

• Grind wheel diameter: 200-300mm

• Grind wheel rotation Speed: min. 2500 rpm.

• Grind wheel tilt adjustment required: Z-axis unit (column) w/ 3-point support

• System to adjust the position of the grinding wheel relative to the vacuum table to ensure parallelism

• Repeat Accuracy 0.5µm

A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the TOR